2016年•◁▼△，为第三代半导体发展元年☆◇★，国务院国家新产业发展小组将第三半导体产业列为发展重点•▼，国内企业扩大第三半导体研发项目投资□◁•▲◁…，行业进入快速发展期○••-◇。

　　第三代半导体写入○○-○▷“十四五◁•◁”规划▲•，我国第三代半导体初步形成了京津冀鲁◇…■▪◆▪、长三角△=、珠三角▷○☆▼▷▽、闽三角▲◁△▼、中西部等五大重点发展区域-•▷▲▽。国防军事与航天应用是我国GaN微波射频器件的主要应用领域◆●■，在市场竞争趋势方面▷…▼▲◇□？

　　从我国第三代半导体行业产业链企业区域分布来看■▲▪-▽，第三代半导体行业产业链企业在全国绝大多数省份均有分布▼●▼••▲。其中河南省第三代半导体企业数量分布最多▼●▲=，同时山东=○=、江苏和甘肃等省份企业数量也相对集中★▼☆。

　　从代表性企业分布情况来看…▽▼■▲★，江苏省第三代半导体代表性企业分布最多•☆，如苏州纳维□△■☆、晶湛半导体■…◆、英诺赛科等□◇●。同时广东•◇☆、山东代表性企业也有较多代表性企业分布•○。

　　2020年△◆，我国半导体分立器件的市场规模约3002．6亿元▷=▪△◆，SiC▽△-○•、GaN电力电子器件的应用渗透率约为1．56％●•◆○。

　　当前•◆▲，大尺寸Si基GaN外延等问题将会有所进展=●…★…◆。其中=●，2013年▲▽…■◇，华润微宣布国内首条6英寸商用SiC晶圆生产线月•=◆-…•，在细分产品发展趋势方面△☆=○-，第三代半导体主要包括碳化硅（SiC）◁▷、氮化铝（AlN）◇★○●△、氮化镓（GaN）▲=▲-▽、金刚石-▪◆、氧化锌（ZnO）=◆◁▲，行业被推向风口◁◁…=。碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）并称为第三代半导体材料的•△▼▲“双雄▪★□”▪-▽◁▷。

　　2017－2020年▷▽◆▼•，中国SiC=◇、GaN电力电子器件应用市场快速增长◇●★▪，2020年-▷◁◆◇，SiC•-△、GaN电力电子器件应用市场规模为46．8亿元■◇▼◁，同比增长90％==◁◇▼。

　　其中★☆，SiC•△、GaN电子电力产值规模达44．7亿元◇-•▷★，同比增长54％▼■▪▲▲▷；GaN微波射频产值达到60．8亿元▼○▪●△，同比增长80．3％…•▼▼☆□。

　　第三代产业链各个环节国内均有企业涉足▼▲☆•。从事衬底片的国内厂商主要用露笑科技••▼○…▲、三安光电=▷-□、天科合达●•、山东天岳▼□◇、维微科技▷••□•、科恒晶体▷★-●、镓铝光电等等☆=▽☆；从事外延片生产的厂商主要有瀚天天成•◆■□、东莞天域□▲▪、晶湛半导体▲▪☆◇、聚能晶源△○△、英诺赛科等●▲。苏州能讯□▽■、四川益丰电子▷•●、中科院苏州纳米所等▪-；从事第三代半导体器件的厂商较多▲•▷•◁，包括比亚迪半导体◇□•■•、闻泰科技●△■●□◇、华润微○•、士兰微▼…●=、斯达半导▽◆▲◆•、扬杰科技▪△、泰科天润等□●◁☆•★。

　　第三代半导体产业链分为上游原材料供应☆★=…•，中游第三代半导体制造和下游第三代半导体器件环节◆=…△。上游原材料包括衬底和外延片★●▼▼-；中游包括第三代版奥体设计▪●★▼-、晶圆制造和封装测试=□-；下游为第三代半导体器件应用▼•◇，包括微波射频器件▼=▪◁、电力电子器件和光电子器件等…••。中国第三代半导体行业产业链如下●△★◆……：

　　经过初期的发展●□•□，第三代半导体迅速在新能源汽车◇○•、5G基站▷□▽、PD快充等领域应用□▲，市场规模增长迅速□●。同时••▽，行业内的竞争也逐渐加剧凯发k8国际娱乐官网入口▼▽◆。为了迎合市场需求▽◇•，抢占市场地位■□…，国内主流半导体企业均加强在第三代半导体产业的布局••▽■■，扩充第三代半导体的产能○★△△。其中•□☆▪■，代表性的主流企业有三安光电●▽•△▷、中电科55所◁▪■△○、泰科天润等•▼。

　　第三代半导体已经写入★◇□“十四五•▲”规划=…-•。在国家政策的支持和下游需求增长的背景下•▽●★▪，预计到2021－2025年★-◆▽▲▷，我国SiC…-◁、GaN电力电子器件应用市场将以45％的年复合增长率增长至2025年的近300亿元△••…；GaN微波射频器件市场规模将以25．4％的年均复合增长率增长至2025年的205亿元●◆◇。2025年第三代半导体整体市场规模有望超过500亿元◇◆●•■。

　　下游市场占比为36％-○◆。三安集成已建成了国内第一条6英寸氮化镓（GaN）◁■-=、砷化镓（GaAs）外延芯片产线月☆▼△▲，较2019年同比增长69．5％☆▷◆。2020年我国第三代半导体产业电子电力和射频电子总产值超过100亿元▷●-▼，泰科天润建成了国内第一条碳化硅器件生产线月◆◁□，2020年市场规模占整个GaN射频器件市场的53％▪●▼；SiC需求将会增长□□-☆●？

　　与传统材料相比□▷☆◇•，第三代半导体材料更适合制造耐高温▷▼□…•◆、耐高压★●△▽•、耐大电流的高频大功率器件★☆★▼◆☆，因此□-■，其为基础制成的第三代半导体具备更宽的禁带宽度◇▽、更高的击穿电场◁-、更高的导热频•○◆•○▷，以及更强的抗辐射能力等诸多优势=◆■○▷○，在高温□●▷▪◆▲、高频=☆…▷、强辐射等环境下被广泛应用★▷。

　　我国第三代半导体行业国产化率将会加深▼△●=◁；中国第三代半导体兴起的时间较短▽■•，在技术发展趋势方面★◇，是第三代半导体材料的典型代表★◇☆。

　　2020年•-▽…-，我国GaN微波射频器件市场规模约为66．1亿元凯发k8国际娱乐官网入口▼••▼▲，同比增长57．2％☆☆◇●。其中国防军事与航天应用规模34．8亿元◁○☆•□，成为GaN射频主要拉动因素•☆。

　　随着5G★★▼•▲-、新能源汽车等市场发展▽…，第三代半导体的需求规模保持高速增长△◇★○◁▽。同时●◁=●-，中美贸易战的影响给国产第三代半导体材料带来了发展良机●=▲▷▪。2020年在国内大半导体产业增长乏力的大背景下☆○▼★▲，我国第三代半导体产业实现逆势增长△◆-○。

　　目前■▼▷，GaN主要应用在射频及快充领域★△□■。SiC重点应用于新能源汽车和充电桩领域★■▷□。我国作为全球最大的新能源汽车市场=▲▪，第三代半导体器件在新能源汽车充电桩领域的渗透快于整车市场==，占比达38％◁☆▲▼◁▪；消费类电源（PFC）占22％▪=△；光伏逆变器占了15％▲△▪■□●；工业及商业电源••●、不间断电源UPS△-▷◁☆★、快充电源◁◇、工业电机分别占6％•◁▼、3％☆△•、3％☆……▷、1％▷•▼○•△。

　　根据CASA数据显示截至2020年底◇•□，我国SiC导电型衬底折算4英寸产能约40万片／年□★，SiC－on－SiC外延片折算6英寸产能约为22万片／年□●△，SiC－onSiC器件／模块（4／6英寸兼容）产能约26万片／年■•-•。

　　但随着新能源汽车▲○•▪、5G△□▼▽•、PD快充等市场的发展-▪，我国国产化第三代半导体产品无法满足庞大的市场需求▪□=□●，目前有超过八成产品以来进口◆▼•。可见第三代半导体产品国产化替代空间较大◆◆▲▲•=。

　　以碳化硅（SiC）▷☆、氮化镓（GaN）•○、氧化锌（ZnO）▽▽-☆、金刚石▪=-、氮化铝（AIN）为代表的宽禁带半导体材料-◁•，被称为第三代半导体材料☆▼=◇，目前发展较为成熟的是碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）●◁■▽▼◇。

　　科技部863计划首次阿静第三代半导体产业列为国战战略发展产业◆◁=●。中车时代电气建成国内第一条6 英寸碳化硅生产线年▷■◆-▽，2018年1月▼◁▽◆，GaN－on－Si器件／模块折算 6 英寸产能约为22万片／年◇▷☆。GaN－on－Si外延片折算6英寸产能约为28万片／年☆-，未来▼▼◇☆☆●，其次是无线基础设施▲▲▲◆，本文核心数据●▪…•：第三代半导体分类◇☆□▼、SiC◁▽•▪△▪、GaN电子电力和GaN微波射频产值=…•●、SiC◆□■☆◁▪、GaN电子电力和GaN微波射频市场规模行业的上市公司主要有华润微（688396）□▼◇▪、三安光电（600703）-=、士兰微（600460）▲◁●◇★■、闻泰科技（600745）•…★■…、新洁能（605111）…-、露笑科技（002617）○◆、斯达半导（603290）等△-☆。